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體積表面電阻率試驗(yàn)設(shè)備的測(cè)試原理、性能結(jié)構(gòu)是是什么?

更新時(shí)間:2025-12-26      點(diǎn)擊次數(shù):199

一、測(cè)試原理(IEC 60093 三同軸法)

1. 電路模型  

   試樣與三電極系統(tǒng)構(gòu)成“三端子"網(wǎng)絡(luò):  

   - 高壓電極(HV)→ 施加直流電壓 V  

   - 測(cè)量電極(ME)→ 采集電流 I  

   - 保護(hù)電極(Guard)→ 與 ME 等電位,把表面泄漏電流旁路到地  

   這樣儀器測(cè)到的 I 僅為“試樣體內(nèi)或表面規(guī)定路徑"上的真實(shí)電流,表面污穢、支架泄漏、電纜絕緣不良等共模誤差被屏蔽層強(qiáng)制歸零。

2. 量值推導(dǎo)  

   體積電阻率:ρv = kV · V / I · t kV 為體積電極常數(shù),cmt 為試樣厚度,cm)  

   表面電阻率:ρs = kS · V / I kS 為表面電極常數(shù),cm)  

   儀器內(nèi)部固化了常用電極的 kVkS,用戶只需輸入厚度即可一鍵得到 ρv/ρs,無需人工換算。

3. 電化與極化抑制  

   GB/T 1410 要求在施加電壓后“電化 60 s"再讀數(shù),以消除介質(zhì)吸收電流。PLC 可按 09999 s 設(shè)定電化時(shí)間,計(jì)時(shí)結(jié)束后自動(dòng)采樣,保證不同試樣數(shù)據(jù)可比。

二、整機(jī)結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵模塊

1. 一體化屏蔽箱  

   儀器主機(jī)與屏蔽箱采用共殼體設(shè)計(jì),內(nèi)膽為 1 mm 鍍鎳鋼板,形成完整的法拉第籠;箱門采用鈹銅彈片與殼體 360°咬合,高頻泄漏衰減 > 90 dB@1 MHz,保證 1017Ω 量級(jí)測(cè)量時(shí)背景噪聲 < 0.5 fA

2. 三同軸輸入子系統(tǒng)  

   高壓模塊:0 1 kV 可調(diào),zui大輸出 2 mA10 ppm/℃ 低溫漂基準(zhǔn),分 6 檔(10 V50 V100 V250 V500 V1 000 V),誤差 ±2 %。  

   電流測(cè)量:采用“反饋式 I-V 轉(zhuǎn)換 + 24-bit Δ-Σ ADC"多檔并聯(lián)結(jié)構(gòu),量程 1 × 10-15 A 2 × 10-3A,自動(dòng)切換,基本誤差 ±1 %。  

   保護(hù)環(huán)驅(qū)動(dòng):Guard ME 之間電位差 < 100 µV,確保表面泄漏電流旁路效率 > 99.999 %

3. PLC 測(cè)控核心  

   三菱 FX3U 系列 PLC 完成:  

   電壓/電流量程繼電器陣列驅(qū)動(dòng)  

   電化計(jì)時(shí)、自動(dòng)采樣、平均值算法  

   溫度/濕度超限報(bào)警(040 ℃,≤ 70 %RH)  

   校準(zhǔn)系數(shù) EEPROM 存儲(chǔ),掉電不丟失  

   觸控屏通過 RS-422 PLC 通訊,界面可中英文切換,實(shí)時(shí)顯示 VIR、ρs、ρv、溫度、濕度及趨勢(shì)圖。

4. 校準(zhǔn)與溯源  

   內(nèi)置 10 MΩ、1 GΩ、100 GΩ、10 TΩ 四只密封氮化鉭薄膜標(biāo)準(zhǔn)電阻,可一鍵執(zhí)行“零點(diǎn)-增益-線性"三點(diǎn)校準(zhǔn),校準(zhǔn)數(shù)據(jù)可導(dǎo)出到 U 盤,實(shí)現(xiàn)國(guó)家二級(jí)計(jì)量站溯源。

三、性能指標(biāo)與典型優(yōu)勢(shì)

1. 測(cè)量范圍:1 × 104Ω → 1 × 1017Ω,覆蓋絕緣材料從“半導(dǎo)"到“超特高壓電纜料"全區(qū)間。  

2. 基本誤差:電阻 ±1 %,電壓 ±2 %,與 IEC 60093 對(duì) 1 級(jí)表要求一致。  

3. 分辨力:電流 0.1 fA,可檢測(cè) 1 × 1017 Ω 時(shí) 10 V 電壓下的 0.1 fA 信號(hào),等效背景噪聲電阻 > 1 × 1019Ω。  

4. 重復(fù)性:對(duì) 1 × 1015 Ω PTFE 樣板,10 次測(cè)量相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)差 < 0.3 %。  

5. 升降壓保護(hù):測(cè)試結(jié)束自動(dòng)“0 V→放電→接地"三狀態(tài)序列,防止薄膜試樣被靜電擊穿。  

6. 擴(kuò)展接口:RS-485USB-AU 盤)、RJ45(可選),支持 MODBUS-RTU,可接入 LIMS 系統(tǒng)。  


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